1997 г., Том 2, № 6, с.12-23

В работе приводятся результаты оптимизационных расчетов плазмохимических реакторов травления (ПХР), используемых в производстве микроэлектронных схем. Образование активной среды рассматривалось как результат процессов диссоциации электронным ударом и объемной рекомбинации. Движение газовой смеси в реакторах моделировалось уравнениями Навье-Стокса. Исследовалась зависимость однородности травления от геометрии кольцевого протектора образца. Показано, что основное влияние на однородность обработки оказывает распределение диффузионных потоков в объеме реактора. Найдены оптимальные размеры протектора для всего диапазона режимов. Результаты расчетов позволяют оптимизировать показатель неоднородности травления для рассмотренных конструктивных схем ПХР.

*76V05 Течения с химическими реакциями