2018 г., Том 23, № 6, с.80-93

Целью работы являлось изучение процессов, протекающих при ленгмюровском испарении подложек полупроводников AIIIBV. Предложена и реализована решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения GaAs и InAs. Моделирование высокотемпературных отжигов проводилось на базе программного комплекса SilSim3D. В модели учтены процессы образования и диссоциации молекулярного мышьяка и формирования капель металла. Выделены области температур, при которых происходило конгруэнтное и неконгруэнтное испарение. Показано, что температура конгруэнтного испарения на поверхности (111)B ниже, чем на (111)A. На поверхностях (111)А образование капель начиналось вблизи ступеней вицинальных поверхностей, а на (111)B капли образовывались случайным образом на террасах.